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SiHB33N60E-GE3

宣布企业:日期:2019/6/6 17:19:32
摘要:SiHB33N60E-GE3

捕鱼达人3要害词:SiHB33N60E-GE3

捕鱼达人3型号:SiHB33N60E-GE3

品牌:VISHAY

捕鱼达人3FET 类型 N 沟道

手艺 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 一连漏极(Id)(25°C 时) 33A(Tc)

驱动电压(最年夜 Rds On,最小 Rds On) 10V

不合 Id,Vgs 时的 Rds On(最年夜值) 99 毫欧 @ 16.5A,10V

不合 Id 时的 Vgs(th)(最年夜值) 4V @ 250μA

捕鱼达人3不合 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最年夜值) 150nC @ 10V

Vgs(最年夜值) ±30V

捕鱼达人3不合 Vds 时的输入电容(Ciss)(最年夜值) 3508pF @ 100V

FET 功效 -

功率耗散(最年夜值) 278W(Tc)

使命温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

装配类型 外面贴装

供应商器件封装 D2PAK

捕鱼达人3封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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